ໜ້າທຳອິດMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
ປິດກ່ອນໜ້າ
$6,19
ຂອບເຂດລາຄາໃນມື້
$6,07 - $6,13
ຂອບເຂດລາຄາໃນປີ
$4,89 - $9,39
ມູນຄ່າຮຸ້ນຕາມລາຄາຕະຫຼາດ
134,07 ລ້ານ USD
ປະລິມານສະເລ່ຍ
118,78 ພັນ
ອັດຕາ P/E
88,59
ເງິນປັນຜົນ
-
ຕະຫຼາດຂັ້ນຕົ້ນ
NASDAQ
ຂ່າວຕະຫຼາດ
ການເງິນ
ໃບລາຍງານຜົນໄດ້ຮັບ
ລາຍໄດ້
ລາຍໄດ້ສຸດທິ
(USD) | ກ.ຍ. 2024info | ການປ່ຽນແປງ ປ/ປ |
---|---|---|
ລາຍໄດ້ | 12,09 ລ້ານ | -26,56% |
ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍການດຳເນີນການ | 8,07 ລ້ານ | 1,60% |
ລາຍໄດ້ສຸດທິ | 2,27 ລ້ານ | -6,85% |
ສ່ວນແບ່ງກຳໄລສຸດທິ | 18,78 | 26,81% |
ລາຍໄດ້ຕໍ່ຮຸ້ນ | 0,17 | 1,39% |
EBITDA | -1,71 ລ້ານ | -175,56% |
ອັດຕາອາກອນທີ່ມີຜົນ | 0,44% | — |
ໃບດຸ່ນດ່ຽງ
ຊັບສິນທັງໝົດ
ໜີ້ສິນທັງໝົດ
(USD) | ກ.ຍ. 2024info | ການປ່ຽນແປງ ປ/ປ |
---|---|---|
ເງິນສົດ ແລະ ລົງທຶນໄລຍະສັ້ນ | 39,59 ລ້ານ | 13,32% |
ຊັບສິນທັງໝົດ | 72,60 ລ້ານ | 15,25% |
ໜີ້ສິນທັງໝົດ | 13,33 ລ້ານ | 5,45% |
ຫຸ້ນທຶນທັງໝົດ | 59,27 ລ້ານ | — |
ຮຸ້ນທີ່ຄ້າງຈ່າຍ | 21,97 ລ້ານ | — |
ລາຄາຕໍ່ມູນຄ່າທາງບັນຊີ | 2,28 | — |
ລາຍຮັບຈາກຊັບສິນ | -7,71% | — |
ລາຍຮັບຈາກທຶນ | -8,46% | — |
ກະແສເງິນສົດ
ການປ່ຽນແປງສຸດທິເປັນເງິນສົດ
(USD) | ກ.ຍ. 2024info | ການປ່ຽນແປງ ປ/ປ |
---|---|---|
ລາຍໄດ້ສຸດທິ | 2,27 ລ້ານ | -6,85% |
ເງິນສົດຈາກການດໍາເນີນງານ | 2,84 ລ້ານ | -20,17% |
ເງິນສົດຈາກການລົງທຶນ | -63,00 ພັນ | -270,59% |
ເງິນສົດຈາກການເງິນ | 49,00 ພັນ | -91,34% |
ການປ່ຽນແປງສຸດທິເປັນເງິນສົດ | 2,82 ລ້ານ | -31,19% |
ການເງິນສະພາບຄ່ອງ | -768,88 ພັນ | -133,01% |
ກ່ຽວກັບ
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
ສ້າງຕັ້ງ
2008
ສໍານັກງານໃຫຍ່
ເວັບໄຊ
ພະນັກງານ
83