Башкы бетMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
Жабылуу курсу
6,19 $
Күндөр диапазону
6,07 $ - 6,13 $
Жылдар диапазону
4,89 $ - 9,39 $
Базар капитализациясы
134,14 млн USD
Орточо көлөмү
118,78 миң
Баа/Киреше
88,59
Дивиденддик киреше
-
Негизги биржа
NASDAQ
Базар жаңылыктары
Каржы документтери
Киреше жөнүндө билдирүү
Киреше
Таза киреше
(USD) | 2024-ж. сен.info | Ж/Ж өзгөрүү |
---|---|---|
Киреше | 12,09 млн | -26,56% |
Операциялык чыгаша | 8,07 млн | 1,60% |
Таза киреше | 2,27 млн | -6,85% |
Таза кирешенин рентабелдүүлүгү | 18,78 | 26,81% |
Бир акциядан түшкөн киреше | 0,17 | 1,39% |
EBITDA көрсөткүчү | -1,71 млн | -175,56% |
Натыйжалуу салык үстөгү | 0,44% | — |
Бухгалтердик баланс
Бардык активдер
Бардык милдеттенмелер
(USD) | 2024-ж. сен.info | Ж/Ж өзгөрүү |
---|---|---|
Накталай акча жана кыска мөөнөттүү инвестияциялар | 39,59 млн | 13,32% |
Бардык активдер | 72,60 млн | 15,25% |
Бардык милдеттенмелер | 13,33 млн | 5,45% |
Жалпы капитал | 59,27 млн | — |
Төлөнө элек акциялар | 21,97 млн | — |
Баасы/Ээлеп коюу катышы | 2,28 | — |
Активдердин кирешелүүлүгү | -7,71% | — |
Капиталдын кирешелүүлүгү | -8,46% | — |
Акча агымы
Калган акчанын таза өзгөрүшү
(USD) | 2024-ж. сен.info | Ж/Ж өзгөрүү |
---|---|---|
Таза киреше | 2,27 млн | -6,85% |
Операциялардан түшкөн накталай акча | 2,84 млн | -20,17% |
Инвестияциядан келген накталай акча | -63,00 миң | -270,59% |
Каржылоодон келген накталай акча | 49,00 миң | -91,34% |
Калган акчанын таза өзгөрүшү | 2,82 млн | -31,19% |
Эркин акча агымы | -768,88 миң | -133,01% |
Маалымат
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Негизделген күнү
2008
Башкы кеңсе
Вебсайт
Жамаат
83