ΠΠΎΠΌΠ°ΡΠ½Ρ ΡΡΠΎΡΡΠ½ΠΊΠ°688261 β’ SHA
add
Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd
ΠΠ°ΠΊΡΠΈΡΡΡ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ. Π΄Π½Ρ
44,07Β Β₯
ΠΡΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΡΡΠ½ Π·Π° Π΄Π΅Π½Ρ
43,71Β Β₯ - 44,64Β Β₯
ΠΡΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΡΡΠ½ Π·Π° ΡΡΠΊ
28,00Β Β₯ - 59,40Β Β₯
Π ΠΈΠ½ΠΊΠΎΠ²Π° ΠΊΠ°ΠΏΡΡΠ°Π»ΡΠ·Π°ΡΡΡ
4,69Β ΠΌΠ»ΡΠ΄ CNY
Π‘Π΅Ρ. ΠΎΠ±ΡΡΠ³
2,89Β ΠΌΠ»Π½
ΠΠΎΠ΅ΡΡΡΡΡΠ½Ρ ΡΡΠ½Π°/ΠΏΡΠΈΠ±ΡΡΠΎΠΊ
141,01
ΠΠΈΠ²ΡΠ΄Π΅Π½Π΄Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡΠΈΠ±ΡΡΠΎΠΊ
0,31%
ΠΡΠ½ΠΎΠ²Π½Π° Π±ΡΡΠΆΠ°
SHA
ΠΠΎΠ²ΠΈΠ½ΠΈ ΡΠΈΠ½ΠΊΡ
Π€ΡΠ½Π°Π½ΡΠΎΠ²Ρ Π΄Π°Π½Ρ
ΠΠ²ΡΡ ΠΏΡΠΎ ΡΡΠ½Π°Π½ΡΠΎΠ²Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΈ
ΠΠΎΡ
ΡΠ΄
Π§ΠΈΡΡΠΈΠΉ Π΄ΠΎΡ
ΡΠ΄
(CNY) | Π³ΡΡΠ΄. 2024β―Ρ.info | ΠΠΌΡΠ½Π° Π·Π° ΡΡΠΊ |
---|---|---|
ΠΠΎΡ
ΡΠ΄ | 322,07Β ΠΌΠ»Π½ | 58,75% |
ΠΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΠΉΠ½Ρ Π²ΠΈΡΡΠ°ΡΠΈ | -88,56Β ΠΌΠ»Π½ | -375,52% |
Π§ΠΈΡΡΠΈΠΉ Π΄ΠΎΡ
ΡΠ΄ | 9,29Β ΠΌΠ»Π½ | 10,88% |
ΠΠ°ΡΠΆΠ° ΡΠΈΡΡΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡΠΈΠ±ΡΡΠΊΡ | 2,89 | -30,02% |
ΠΡΠΈΠ±ΡΡΠΎΠΊ Π½Π° Π°ΠΊΡΡΡ | β | β |
EBITDA | 16,98Β ΠΌΠ»Π½ | 296,37% |
ΠΡΠ΅ΠΊΡΠΈΠ²Π½Π° ΡΡΠ°Π²ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡΠΊΡ | -35,83% | β |
ΠΡΡ
Π³Π°Π»ΡΠ΅ΡΡΡΠΊΠΈΠΉ Π±Π°Π»Π°Π½Ρ
ΠΠ°Π³Π°Π»ΡΠ½Π° Π²Π°ΡΡΡΡΡΡ Π°ΠΊΡΠΈΠ²ΡΠ²
ΠΠ°Π³Π°Π»ΡΠ½Π° ΡΡΠΌΠ° Π·ΠΎΠ±ΠΎΠ²βΡΠ·Π°Π½Ρ
(CNY) | Π³ΡΡΠ΄. 2024β―Ρ.info | ΠΠΌΡΠ½Π° Π·Π° ΡΡΠΊ |
---|---|---|
ΠΠΎΡΡΠ²ΠΊΠΎΠ²Ρ ΠΉ ΠΊΠΎΡΠΎΡΠΊΠΎΡΡΡΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΈ | β | β |
ΠΠ°Π³Π°Π»ΡΠ½Π° Π²Π°ΡΡΡΡΡΡ Π°ΠΊΡΠΈΠ²ΡΠ² | β | β |
ΠΠ°Π³Π°Π»ΡΠ½Π° ΡΡΠΌΠ° Π·ΠΎΠ±ΠΎΠ²βΡΠ·Π°Π½Ρ | β | β |
ΠΠ°Π³. ΡΡΠΌΠ° Π²Π»Π°ΡΠ½. ΠΊΠ°ΠΏΡΡΠ°Π»Ρ | β | β |
Π¦ΠΈΡΠΊΡΠ»ΡΡΡΡ Π°ΠΊΡΡΡ | 116,35Β ΠΌΠ»Π½ | β |
P/B ΠΊΠΎΠ΅ΡΡΡΡΡΠ½Ρ | β | β |
Π Π΅Π½ΡΠ°Π±Π΅Π»ΡΠ½ΡΡΡΡ Π°ΠΊΡΠΈΠ²ΡΠ² | β | β |
Π Π΅Π½ΡΠ°Π±Π΅Π»ΡΠ½ΡΡΡΡ ΠΊΠ°ΠΏΡΡΠ°Π»Ρ | 1,37% | β |
ΠΡΠΎΡΠΎΠ²ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠΊ
Π§ΠΈΡΡΠ° Π·ΠΌΡΠ½Π° Π·Π°Π»ΠΈΡΠΊΡ Π³ΠΎΡΡΠ²ΠΊΠΈ
(CNY) | Π³ΡΡΠ΄. 2024β―Ρ.info | ΠΠΌΡΠ½Π° Π·Π° ΡΡΠΊ |
---|---|---|
Π§ΠΈΡΡΠΈΠΉ Π΄ΠΎΡ
ΡΠ΄ | 9,29Β ΠΌΠ»Π½ | 10,88% |
ΠΠΎΡΡΠ²ΠΊΠ° Π²ΡΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΠΉ | β | β |
ΠΠΎΡΡΠ²ΠΊΠ° Π²ΡΠ΄ ΡΠ½Π²Π΅ΡΡΠΈΡΡΠΉ | β | β |
ΠΠΎΡΡΠ²ΠΊΠ° Π²ΡΠ΄ ΡΡΠ½Π°Π½ΡΡΠ²Π°Π½Π½Ρ | β | β |
Π§ΠΈΡΡΠ° Π·ΠΌΡΠ½Π° Π·Π°Π»ΠΈΡΠΊΡ Π³ΠΎΡΡΠ²ΠΊΠΈ | β | β |
ΠΡΠ»ΡΠ½ΠΈΠΉ Π³ΡΠΎΡΠΎΠ²ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠΊ | β | β |
ΠΠ½ΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΡΡ
Suzhou Oriental Semiconductor Co., Ltd, abbreviated as Oriental Semiconductor, was founded in 2008, located in SIP, Suzhou, China. It invented the world's first semi-floating gate transistor with Fudan University in Shanghai. The related research paper was published on Science on August 9, 2013. Wikipedia
ΠΠ°ΡΠ° Π·Π°ΡΠ½ΡΠ²Π°Π½Π½Ρ
12 Π²Π΅Ρ. 2008β―Ρ.
ΠΠ΅Π±-ΡΠ°ΠΉΡ
ΠΡΠ»ΡΠΊΡΡΡΡ ΠΏΡΠ°ΡΡΠ²Π½ΠΈΠΊΡΠ²
142